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    • 专利摘要:
    本發明係揭露一種內嵌閃存卡之燒機方法以及測試板、以及採用所述技術測試的內嵌閃存卡。所揭露之方法包括以下步驟：將一測試數據寫入一內嵌閃存卡的一快閃記憶體；將該內嵌閃存卡的一命令線電性接地，以操作該內嵌閃存卡於一開機狀態；在該內嵌閃存卡於該開機狀態且上述測試數據經辨識存在於該快閃記憶體時，於該快閃記憶體上實行一燒機程序；並且，在該燒機程序中收集一測試報告，該測試報告係儲存於該快閃記憶體。
    公开号:TW201317994A
    申请号:TW101112573
    申请日:2012-04-10
    公开日:2013-05-01
    发明作者:Chia-Fung Chang；Hsu-Ping Ou
    申请人:Silicon Motion Inc；
    IPC主号:G11C29-00
    专利说明:
    內嵌閃存卡燒機方法以及測試板、以及內嵌閃存卡
    本發明係有關於一種內嵌閃存卡(embedded Multi Media Card,eMMC)，且特別有關於內嵌閃存卡的燒機測試(burn-in test)。
    多媒體記憶卡(MultiMediaCard,MMC)係基於一反及閘型快閃記憶體技術。一般而言，多媒體記憶卡係作為可攜式裝置的儲存媒體，方便於移至一個人電人作存取。例如，數位相機可採用多媒體記憶卡儲存影像檔案。使用者可藉由讀卡機(例如，多媒體記憶卡讀卡機)將相片複製至他或她的電腦。
    基於多媒體記憶卡之規格，一嵌入式儲存方案將多媒體記憶卡介面、快閃記憶體以及控制器整合在同一封裝內，係命名為內嵌閃存卡(embedded Multi Media Card,eMMC)。為了確保內嵌閃存卡之快閃記憶體的可靠度，在銷售前需以燒機程序測試該快閃記憶體。
    第1圖圖解內嵌閃存卡之傳統燒機測試設計。如圖所示，內嵌閃存卡102_1…102_N係分別插入N個讀卡機104_1…104_N以連結一主機106。該主機106提供多個指令至上述內嵌閃存卡102_1…102_N的指令線，將所有內嵌閃存卡102_1…102_N皆操作於一傳輸狀態(transfer state)。所述傳輸狀態係設計作傳統燒機測試使用。
    然而，第1圖之傳統測試架構不適用於耐溫性測試。例如，主機106並不適合放置在烤箱或者冰箱中。
    本技術領域需要一種新穎的內嵌閃存卡測試架構。
    本發明係揭露內嵌閃存卡(eMMC)之燒機方法、採用該燒機方法之測試板、以及以該燒機方法測試的內嵌閃存卡。
    本發明一種實施方式所示的一燒機方法包括以下步驟：將一測試數據寫入一內嵌閃存卡的一快閃記憶體中；將該內嵌閃存卡的一指令線(command line)電性接地，以操作該內嵌閃存卡於一開機狀態(boot state)；於該內嵌閃存卡處於該開機狀態且該測試數據經辨識存在於該快閃記憶體內時，收集一測試報告，該測試報告係儲存於該快閃記憶體。在一種實施方式中，藉由上述燒機程序，該快閃記憶體內的區塊(blocks)係以該測試數據測試。此外，所收集之測試報告可在該內嵌閃存卡為正常操作時供參考使用。
    根據本發明另一種實施方式所實現的一測試板包括一安裝座以及一導線。所述安裝座用於安裝一內嵌閃存卡於該測試板上。關於該安裝座上所安裝的內嵌閃存卡，其中快閃記憶體已寫入供執行用的一測試韌體以及供燒機測試用的一測試數據。經由該測試板所提供的該導線，該內嵌閃存卡的一指令線(command line)係電性接地，操作該內嵌閃存卡於一開機狀態(boot state)。基於該內嵌閃存卡之開機狀態以及該快閃記憶體所具有的測試數據，執行中的測試韌體對該快閃記憶體執行一燒機程序，以該測試數據測試該快閃記憶體的複數個區塊、且在該燒機程序收集一測試報告。該測試報告係存儲於該快閃記憶體。此外，該測試報告可在該內嵌閃存卡為正常操作時被參照。
    根據本發明一種實施方式所實現的一內嵌閃存卡包括一快閃記憶體以及一控制器，其中，該控制器包括一唯讀記憶體。上述快閃記憶體儲存有一客製化程式碼以及一測試報告。該測試報告係由一燒機程序收集。該燒機程序的執行係設計在該內嵌閃存卡之指令線(command line)電性接地(操作該內嵌閃存卡於一開機狀態boot state)、並且該測試數據經辨識存在於該快取記憶體中時。該快閃記憶體的複數個區塊係在該燒機程序以該測試數據測試。所述唯讀記憶體係用於儲存一唯讀程式碼(ROM code)。可與一主機通訊的該控制器對該快閃記憶體之控制係根據該唯讀程式碼以及該客製化程式碼、並參考有該測試報告。
    為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖示，詳細說明如下。
    第2圖圖解根據本發明一種實施方式針對內嵌閃存卡的燒機程序所作的一測試板200。測試板200可用於測試複數塊內嵌閃存卡。簡單說明之，以下僅討論單一組測試套件(對應一塊內嵌閃存卡)。一測試套件可能包括一安裝座202以及一導線204。藉由該安裝座202，內嵌閃存卡206連結該測試板200。
    請注意，內嵌閃存卡206安裝至該安裝座202前可先連結一主機，以下載測試程式碼以及測試數據。因此，安裝於安裝座202上的內嵌閃存卡206已經存有測試韌體供執行使用、且存有燒機程序所需的測試數據。
    導線204係將該內嵌閃存卡206的一指令線CMD電性連結地端GND,以操作該內嵌閃存卡206處於一開機狀態(boot state,通常用於供應開機數據給一主機)。當所執行的測試韌體感測到該內嵌閃存卡206的開機狀態、並辨識出該快閃記憶體包含該測試數據時，所執行的測試韌體會在該快閃記憶體上執行一燒機程序，以該測試數據測試該快閃記憶體的複數個區塊(blocks)。燒機程序收集有一測試報告儲存於該快閃記憶體，供該內嵌閃存卡206正常操作時參考使用。基於前述技術所收集的該測試報告，一內嵌閃存卡可更有效地使用其中快閃記憶體，或者，一內嵌閃存卡可在銷售前根據上述測試報告分級。此外，因為該燒機程序係由該內嵌閃存卡206自身主導，並無須額外的主機或讀卡機，因此，測試板200可進行耐溫測試。
    該測試板200可更包括多個發光二極體(LEDs)，係針對測試板200上的不同測試套件所設置。如圖所示，發光二極體208可連結該內嵌閃存卡206的一資料線Data[0]。在本發明一種實施方式中，所執行的測試韌體在執行該燒機程序時採用該資料線Data[0]顯示該內嵌閃存卡206之快閃記憶體的狀態(例如，產品品質)。因此，該發光二極體208可根據該內嵌閃存卡206的快閃記憶體之狀態(例如，產品品質)閃爍。一種實施方式以持續發光的發光二極體208顯示安裝座202上的內嵌閃存卡206故障，將自生產線移除。
    在本發明另外一種實施方式中，所執行的測試韌體採用該資料線Data[0]顯示該內嵌閃存卡206之快閃記憶體是否經該燒機程序測試。因此，發光二極體208可根據該燒機程序之進度閃爍。生產線員工可清楚了解燒機程序的進度。
    測試板200可更包括對應該測試板200多個測試套件的多個振盪器。在第2圖之實施方式中，各振盪器專屬一測試套件。如圖所示，振盪器210可連結該內嵌閃存卡206的一時脈線CLK，以產生一時脈信號專屬於該安裝座202上的該內嵌閃存卡206。專屬的振盪器設計確保時脈信號的準確度。特別聲明之，專屬的振盪器設計為非限定特徵。在另一種實施方式中，測試板上所有的測試套件可共用單一個時脈源。
    第3圖圖解根據本發明一種實施方式所實現的一內嵌閃存卡300。該內嵌閃存卡300包括一快閃記憶體302以及具有一唯讀記憶體306的一控制器304。快閃記憶體302存有一客製化程式碼308以及一測試報告310。唯讀記憶體306儲存有一唯讀程式碼(ROM code)312。
    測試報告310係於生產線之燒機程序收集。燒機程序之操作係設計在該內嵌閃存卡300的一指令線(command line)電性接地(用以操作該內嵌閃存卡300為一開機狀態boot state)且一測試數據遭辨識存在於該快閃記憶體時。該快閃記憶體302的多個區塊係在該燒機程序中以該測試數據測試。參考第2圖的測試板200，經測試板200所收集的測試報告可被用來實現內嵌閃存卡300的測試報告310。
    在實際應用上，與主機314通訊的控制器304對該快取記憶體302之控制係根據該唯讀程式碼312、該客製化程式碼308、且參照該測試報告310。
    所述測試報告310可包括一時間計數(指示該燒機程序執行多久)、或該快閃記憶體302之損毀區塊資訊、或各區塊之錯誤檢查及校正碼(error checking and correction，ECC)狀態。在一種實施方式中，該快閃記憶體的多個區塊係由同樣測試數據反覆測試，直至滿足一迴圈數。因此，該測試報告310可更包括一迴圈計數(指示燒機程序之迴圈數量)或各迴圈中測試失敗的區塊數量。
    根據本發明一種實施方式，第4圖以一流程圖圖解內嵌閃存卡之燒機程序。在步驟S402，測試數據寫入一內嵌閃存卡的一快閃記憶體。於步驟S404，該內嵌閃存卡的一指令線電性接地，以操作該內嵌閃存卡為一開機狀態。當該內嵌閃存卡為開機狀態、且該測試數據遭辨識出存在於該快閃記憶體，步驟S406在該快閃記憶體執行一燒機程序，其中，藉由該燒機程序，該快閃記憶體的各區塊係由該測試數據測試。於步驟S408，該燒機程序包括收集一測試報告，該測試報告係儲存於該快閃記憶體、且係由該內嵌閃存卡於正常操作中參考使用。
    在所述燒機方法的一種實施方式中，環境溫度在燒機程序中劇烈變動，該內嵌閃存卡在不同溫度下由該測試數據測試。因此，所揭露之燒機程序包括內嵌閃存卡的耐溫性測試。
    在所述燒機方法的一種實施方式中，內嵌閃存卡的一資料線係用於顯示該快閃記憶體於燒機程序中的狀態(例如，產品品質)。在燒機方法的另外一種實施方式中，所述資料線係用於顯示快閃記憶體是否正以該燒機程序測試。
    在所述燒機方法的一種實施方式中，燒機程序更紀錄一程序報告。所述程序報告儲存於該快閃記憶體，供斷電又復電的燒機程序參考使用。
    在所揭露之燒機程序中，所述快閃記憶體的各區塊可抹除後以該測試數據重新編程，再被讀出以確認可靠度。所揭露之測試報告可由以上抹除/編程/讀取操作收集。在一種實施方式中，快閃記憶體的多個區塊係由該測試數據反覆測試，直至滿足一迴圈數。所述測試報告可包括迴圈計數、或時間計數、或損壞區塊資訊、或各區塊的錯誤檢查及校正碼狀態、或各迴圈中不通過測試的區塊數量。
    在所揭露之燒機方法的一種實施方式中，該測試報告可更使用在銷售前分級內嵌閃存卡。
    根據本發明一種實施方式，第5圖以一流程圖圖解一內嵌閃存卡的燒機測試以及內嵌閃存卡的分級技術(基於所述燒機測試)。於步驟S502，一內嵌閃存卡(又稱內嵌閃存卡樣本)係耦接一主機(又稱eMMC主機)，且該主機在該內嵌閃存卡寫入(寫入其中快閃記憶體)一測試韌體。於步驟S504，該主機將測試數據下載至該內嵌閃存卡(載入其中快閃記憶體)。於步驟S506，該內嵌閃存卡與該主機斷開，改連結如第2圖所示之測試板。在步驟S508，測試板被搬移至一測試環境(例如，耐溫測試所需的溫度調變環境)。在步驟S510，測試板啟動(電源Power上電)，其上內嵌閃存卡根據測試韌體動作。基於該內嵌閃存卡的一指令線與一接地端之電性連結(由該測試板建立，操作該內嵌閃存卡於一開機狀態boot state)以及辨識到之測試數據，執行中的測試韌體在該內嵌閃存卡的快閃記憶體上實行燒機程序，並在燒機程序中收集測試報告。接著，執行步驟S512。在步驟S512，測試板除能。在步驟S514，內嵌閃存卡自該測試板移除。在步驟S516，該內嵌閃存卡連結該主機，且該主機自該內嵌閃存卡下載測試報告。在步驟S518，主機根據該測試報告評比該內嵌閃存卡。在步驟S520，主機將測試韌體自該內嵌閃存卡移除，且該主機寫入一客製化韌體至該內嵌閃存卡(寫至其中快閃記憶體)。
    第6圖以流程圖詳解步驟S510的一種實施方式。在步驟S602，測試板啟動。步驟S604判斷該內嵌閃存卡是否處於開機狀態(boot state)。當該內嵌閃存卡不處於開機狀態，程序執行步驟S606，略去燒機程序以進行一般的內嵌閃存卡操作。當該內嵌閃存卡處於開機狀態，程序執行步驟S608，判斷該內嵌閃存卡是否包含測試數據。若該內嵌閃存卡經辨識後不包含測試數據，程序執行步驟S606，略去燒機程序以進行一般的內嵌閃存卡操作。若測試數據遭辨識出存在於該內嵌閃存卡，程序執行步驟S610。步驟S610對該內嵌閃存卡的快閃記憶體進行燒機程序，並在燒機程序中收集測試報告。在某些實施方式中，流程更包括一非限定步驟S612。在步驟S612，該內嵌閃存卡的品質或燒機狀態顯示於該內嵌閃存卡的一資料線(可控制一發光二極體之顯示)。
    雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟悉此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
    102_1…102_N．．．內嵌閃存卡
    104_1…104_N．．．讀卡機
    106．．．主機
    202．．．安裝座
    204．．．導線
    206．．．內嵌閃存卡
    208．．．發光二極體
    210．．．振盪器
    300．．．內嵌閃存卡
    302．．．快閃記憶體
    304．．．控制器
    306．．．唯讀記憶體
    308．．．客製化程式碼
    310．．．測試報告
    312．．．唯讀程式碼
    314．．．主機
    CLK．．．時脈線
    CMD．．．指令線
    Data[0]．．．資料線
    GND．．．地端
    Power．．．電源
    S402…S408、S502…S520、S602…S612．．．步驟
    第1圖圖解內嵌閃存卡習知的燒機測試設計；
    第2圖圖解根據本發明一種實施方式所實現的一測試板200，供實現內嵌閃存卡之燒機程序；
    第3圖圖解根據本發明一種實施方式所實現的一內嵌閃存卡300；
    第4圖為一流程圖，圖解根據本發明一種實施方式所實現的一燒機方法，用於內嵌閃存卡；
    第5圖為一流程圖，圖解根據本發明一種實施方式所實現的內嵌閃存卡燒機測試、以及內嵌閃存卡評比技術(基於所述燒機測試)；以及
    第6圖為一流程圖，詳解步驟S510的一種實施方式。
    S402…S408．．．步驟
    权利要求:
    Claims (16)
    [1] 一種內嵌閃存卡燒機方法，包括：將一測試數據寫入一內嵌閃存卡的一快閃記憶體；將該內嵌閃存卡的一指令線電性連結至地端，以操作該內嵌閃存卡為一開機狀態；於該內嵌閃存卡為該開機狀態且該測試數據經辨識存在於該快閃記憶體時，對該快閃記憶體執行一燒機程序；以及於該燒機程序收集一測試報告，且儲存該測試報告至該快閃記憶體。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之內嵌閃存卡燒機方法，其中該燒機程序以該測試數據測試該快閃記憶體的複數個區塊。
    [3] 如申請專利範圍第2項所述之內嵌閃存卡燒機方法，更包括控制一環境溫度，將該燒機程序操作在多種溫度下測試該內嵌閃存卡。
    [4] 如申請專利範圍第2項所述之內嵌閃存卡燒機方法，更包括於執行該燒機程序時採用該內嵌閃存卡的一資料線顯示該快閃記憶體的一狀態。
    [5] 如申請專利範圍第2項所述之內嵌閃存卡燒機方法，更包括控制該內嵌閃存卡的一資料線的狀態，以顯示該燒機程序是否正作用在該快閃記憶體上。
    [6] 如申請專利範圍第2項所述之內嵌閃存卡燒機方法，更包括於該燒機程序中紀錄一程序報告，該程序報告儲存於該快閃記憶體，供斷電後又復電的燒機程序參考。
    [7] 如申請專利範圍第2項所述之內嵌閃存卡燒機方法，其中，於該燒機程序，該快閃記憶體各區塊遭抹除、接著重新以該測試數據編程、且接著被讀出驗證可靠度，以收集該測試報告。
    [8] 如申請專利範圍第2項所述之內嵌閃存卡燒機方法，其中，於該燒機程序，該快閃記憶體各區塊係由該測試數據反覆測試，直至滿足一迴圈數。
    [9] 如申請專利範圍第8項所述之內嵌閃存卡燒機方法，其中該測試報告包括一迴圈計數、或一時間計數、或損毀區塊資訊、或各區塊的錯誤檢查及校正碼、或各迴圈之未通過測試的區塊量。
    [10] 如申請專利範圍第2項所述之內嵌閃存卡燒機方法，其中該測試報告更用於評比該內嵌閃存卡。
    [11] 一種內嵌閃存卡燒機測試之測試板，包括：一安裝座，供安裝一內嵌閃存卡，該內嵌閃存卡具有一快閃記憶體，該快閃記憶體儲存有執行用的一測試韌體以及燒錄測試用的一測試數據；一導線，電性連結該內嵌閃存卡的一指令線至地端，以操作該內嵌閃存卡為一開機狀態，其中，所執行的該測試韌體在辨識出該測試數據時對該快閃記憶體執行一燒機程序，以該測試數據測試該快閃記憶體的複數個區塊，並於該燒機程序收集一測試報告，該測試報告儲存於該快閃記憶體。
    [12] 如申請專利範圍第11項所述之內嵌閃存卡燒機測試之測試板，更包括：一發光二極體，連結安裝於該安裝座上的該內嵌閃存卡的一資料線，其中，該資料線於該燒機程序進行時顯示該快閃記憶體的一狀態。
    [13] 如申請專利範圍第11項所述之內嵌閃存卡燒機測試之測試板，更包括：一發光二極體，與安裝於該安裝座上的該內嵌閃存卡的一資料線連結，其中該資料線顯示該快閃記憶體上是否正在施行該燒機程序。
    [14] 如申請專利範圍第11項所述之內嵌閃存卡燒機測試之測試板，更包括：一振盪器，針對安裝於該安裝座上的該內嵌閃存卡產生專屬的一時脈信號。
    [15] 一種內嵌閃存卡，包括：一快閃記憶體，儲存有一客製化程式碼以及一測試報告，其中該測試報告係於一燒機程序收集，該燒機程序係於該內嵌閃存卡的一指令線經電性接地使該內嵌閃存卡為一開機狀態、且一測試數據經辨識存在於該快閃記憶體時執行，且該燒機程序係以該測試數據測試該快閃記憶體的複數個區塊；以及具有一唯讀記憶體的一控制器，其中該唯讀記憶體儲存有一唯讀程式碼，且該控制器對該快閃記憶體之控制係基於該唯讀程式碼、該客製化程式碼、以及參照該測試報告。
    [16] 如申請專利範圍第15項所述之內嵌閃存卡，其中該測試報告之收集係以該測試數據反覆測試該快閃記憶體的該等區塊直至滿足一迴圈數，且該測試報告包括一迴圈計數、或一時間計數、或損毀區塊資訊、或各區塊的錯誤檢查及校正碼狀態、或各迴圈之未通過測試的區塊量。
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    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    US201161551168P| true| 2011-10-25|2011-10-25||CN201210409873.9A| CN103077743B|2011-10-25|2012-10-24|内嵌闪存卡烧机方法以及测试板、以及内嵌闪存卡|
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